Kronmuller 等人提出了在晶粒邊界軟磁性缺陷區域反磁化成核的理論。他們采用的數學(xué)模型表達式為：

               K₁(Z ) = K₁－△K/ch²（Z/r₀）

式中，K₁(Z)和 K₁分別表示缺陷區及晶粒內部的各向異性常數，△K 表示缺陷區各向異性常數的減小，r₀為缺陷區的厚度，Ζ表示表面層的深度。

    該公式確定的是單變量連續變化的缺陷模型，根據該式，應用總自由能最小原理確定成核場(chǎng)，并指出成核場(chǎng)決定矯頑力：

               H_c = H_n =2K₁(Z)/J_s－2πM_s +2K₁δ_B/M_sπr₀

式中，δ_B為晶粒內疇壁厚度，J_s和M_s分別表示磁極化強度和飽和磁化強度。

該理論認為，釹鐵硼磁體的矯頑力是由晶粒邊界軟磁性缺陷區域反磁化成核場(chǎng)來(lái)決定的。成核場(chǎng)高，則磁體的矯頑力就高，反之，磁體的矯頑力會(huì )較低。

2、熱激活理論

    Givord 等人提出了反磁化的熱激活理論，主張晶粒邊界激活體積處反磁化核的形成和擴張控制矯頑力。與成核理論的不同之處在于，激活體積處的各向異性常數并不明顯地小于硬磁性晶粒內部的相應值，反磁化核的形成是由于熱起伏的影響產(chǎn)生的。形成反磁化場(chǎng)的能量 E₀可以表示為：

             E₀ = μ₀VM_SH_C +μ₀VN_effM_S² +25KT

式中，V 表示激活體積，N_eff 為有效退磁因子，K 為各向異性常數，T 為溫度。第一項為外磁場(chǎng)能，第二項為偶極相互作用能，第三項為熱起伏的能量勢壘。E₀還應等于反磁化核與晶粒其他部分的相互作用能：

              E0 = αγV^2/3

式中γ為晶粒疇壁能密度，α為比例系數，對比上兩式，得矯頑力為：

              HC = Hn =αγ/N_effM_SV^1/3－N_effM_s－25KT/μ₀M_SV

    Givord 指出，熱起伏的影響導致反磁化核的形成，矯頑力是由晶粒邊界激活體積處反磁化核的形成和擴張來(lái)控制的。

3、釘扎理論

    根據對磁疇結構的觀(guān)察及宏觀(guān)磁性的測量，Li D 等人提出了控制釹鐵硼磁體矯頑力的釘扎理論，認為晶粒的邊界對疇壁有強烈的釘扎作用。Hadjipanayis提出，晶粒邊界處的富 Nd 相薄層具有吸引疇壁的作用，從而成為疇壁運動(dòng)的釘扎部位。周壽增等經(jīng)過(guò)系統的研究，認為晶界、空位、位錯等金屬的缺陷是疇壁很強的釘扎中心，它們的存在將限制疇壁的位移，從而提高磁體的矯頑力。

4、發(fā)動(dòng)場(chǎng)理論

    高汝偉等人經(jīng)過(guò)系統的研究，結合實(shí)驗事實(shí)提出了釹鐵硼磁體的發(fā)動(dòng)場(chǎng)理論。該理論認為，反磁化核的體積很小，僅具有疇壁的數量級，需要長(cháng)大成疇并從晶粒表面到內部不可逆疇壁位移才能將整個(gè)晶粒反磁化。在反磁化核的長(cháng)大過(guò)程中，需要克服因疇壁能密度的變化造成的阻力，同時(shí)還要提供核的體積和表面積的增加所需要的能量，對應的臨界場(chǎng)H₀ 和擴張場(chǎng)H_ε為：

              H ₀ =γ/2J_sr₀, H_ε=πγ/4J _S r₀

式中，γ為晶粒內部疇壁能密度。反磁化核的長(cháng)大（擴張）所需要的發(fā)動(dòng)場(chǎng)H_s應等于H₀和H_ε之和，再考慮到有效退磁場(chǎng)的作用，發(fā)動(dòng)場(chǎng)可表示為：

              Hs =γ/2J_s r₀（1＋2/π）－N_eff M_S

    使晶粒完全反磁化需要的矯頑力應該由成核場(chǎng)和發(fā)動(dòng)場(chǎng)中較大的一個(gè)決定。經(jīng)過(guò)對比，發(fā)動(dòng)場(chǎng)大于成核場(chǎng)，因而磁體的矯頑力應該由發(fā)動(dòng)場(chǎng)來(lái)決定。