近日，由揚州大學(xué)物理學(xué)院承擔的江蘇省科技攻關(guān)項目大功率高亮度LED芯片取得重要進(jìn)展，首批試制樣品已上線(xiàn)接受1000小時(shí)的性能測試。這款由我國自主研發(fā)的新光源芯片，將用于替代國外同類(lèi)產(chǎn)品。
　　據了解，LED是目前世界各國加緊開(kāi)發(fā)的節能光源產(chǎn)品，用于替代傳統的電力光源，芯片則是LED的“大腦”。但目前國產(chǎn)LED芯片在壽命、亮度、性?xún)r(jià)比等方面均弱于進(jìn)口芯片，從而造成最終產(chǎn)品成本高，難以在一般消費者中普及，且高端產(chǎn)品的芯片需依賴(lài)進(jìn)口。
　　據課題負責人揚大物理學(xué)院曾祥華教授介紹，由該院光電研究中心10名科研人員組成的研究團隊，與揚州華夏光電聯(lián)合開(kāi)展校企合作，對國產(chǎn)芯片的結構進(jìn)行重新設計，著(zhù)力解決發(fā)熱量大、衰減快等穩定性問(wèn)題，以提高其使用壽命。
　　曾祥華表示，目前首批新型芯片樣品已經(jīng)試制成功，并已經(jīng)獲得三項國家專(zhuān)利，經(jīng)過(guò)1000小時(shí)連續帶電測試后，研究人員還將對細節進(jìn)行改進(jìn)，新芯片的穩定使用壽命約能提高到5萬(wàn)小時(shí)以上。據悉，新芯片因由我國自主研發(fā)，這將大大縮減LED制造成本，最終可用于替代進(jìn)口芯片。